導(dǎo)體項目全面投產(chǎn)，主要研究三極管、MOSFET 封裝測試、可控硅、三 端穩(wěn)壓管、高反壓開關(guān)三極管、信號放大三極管、集成電路等；然后是重 慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司的 12 英寸功率半導(dǎo)體晶元測試片已順利產(chǎn)出， 預(yù)計年底正式量產(chǎn)，據(jù)悉，這是亞洲首款 12 寸半導(dǎo)體芯片。

電子器件是一個非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。 因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多 個角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。

IGBT 模塊并聯(lián)技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于電力電子行業(yè)。無論是受限于單模塊電 流能力不足，還是并聯(lián)方案更具成本優(yōu)勢，或是系統(tǒng)擴展性、系列化需求，越來 越多的應(yīng)用需要 IGBT 模塊并聯(lián)方案。為了充分發(fā)揮并聯(lián)優(yōu)勢，均流效果就顯得尤為重要了，否則嚴重電流不平衡 將會導(dǎo)致某一模塊承受過大電流，從而限制并聯(lián)模塊整體輸出能力，無法達到預(yù) 計的并聯(lián)效果。

相比傳統(tǒng)的硅基電力電子器件，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁 帶半導(dǎo)體制備的新型電力電子器件憑借其優(yōu)異性能被認為是可替代硅基器件的 重要選擇。